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　　3、完整屏蔽體屏蔽效能的計算

　　(1)屏蔽效能的計算

　　屏蔽效能有時也稱為屏蔽損耗(衰減)，特別在單獨考慮吸收或反射屏蔽效能時常用吸收損耗A和反射損耗R來表示。屏蔽效能SE或屏蔽損耗愈大，表示屏蔽效果愈好。屏蔽效能SE與傳輸系數(shù)T的關系為： (dB)

　　由于屏蔽效能是由吸收損耗和反射損耗及多次反射損耗三部分組成，故傳輸系數(shù)為：

　　(dB)

　　式中： 、 、 分別代表由于屏蔽體的吸收、反射和多次反射引起的傳輸系數(shù)，故： (dB)

　　或： (dB)

　　式中： ―總的屏蔽效能; ―吸收損耗; ―反射損耗; ―多次反射損耗，單位為dB。

　　(2)吸收損耗

　　屏蔽體中電磁能損耗系由感生的渦流產(chǎn)生。由于高頻渦流有趨膚效應，電磁場在金屬屏蔽體中將以衰減常數(shù) 按指數(shù)規(guī)律衰減。衰減常數(shù) 即為渦流系數(shù)： 式中： ――趨膚深度。

　　當電磁波在介質中傳播時，無論電場還是磁場，它們的幅度都是按照指數(shù)規(guī)律衰減;

　　式中： ――屏蔽體厚度，mm。

　　電磁波在介質中傳播，衰減為原始強度的 或37%時所傳播的距離稱為該材料的趨膚深度。趨膚深度的計算公式為： 的單位為MHz。

　　若屏蔽體的厚度為 ，則吸收傳輸系數(shù)為： 若以dB為單位，則吸收損耗A為： (dB)

　　若將 代入上式，則A 可表示為：

　　(dB)

　　式中： ―金屬屏蔽體的厚度，cm; ―電磁波頻率，MHz; ―相對于銅的磁導率; ―銅的磁導率， ; ―相對于銅的電導率; ―銅的電導率， 。

　　可以看出，吸收損耗A與 成正比關系，即屏蔽體的厚度越大，吸收損耗A越大。高頻情況，一般 >10，則A可以達到80dB以上。厚度每增加一個趨膚深度，吸收損耗增加約9dB，另外吸收損耗隨屏蔽材料的磁導率和電導率，或被屏蔽電磁波的頻率增加而增加。同時，趨膚深度 與頻率、材料的磁導率 及電導率 的平方根均成反比，即同樣頻率的電磁場， 及 愈大的材料，趨膚深度 愈小;而對于同樣的材料，頻率越高，趨膚深度越小。

　　當 時，銅的趨膚深度為0.067mm，則厚度為 的屏蔽體的吸收屏蔽損耗A達87dB。因此，對于高頻，要達到一定屏蔽效果所需的屏蔽體厚度很小，一般只要能滿足工藝結構和機械性能的厚度都能滿足屏蔽的要求。

　　表5-4-21列出了幾種常用金屬屏蔽材料的相對電導率和相對磁導率。根據(jù)吸收損耗的要求，就可以求得屏蔽體材料需要的最小厚度。

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